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加速電壓：0.5–30 kV，可在 0.1 kV 步長下連續調節，支持低電壓模式（如 100–500 V）以減少非導電樣品的荷電效應。

束流強度：1 pA–2 nA，滿足高分辨成像與高靈敏度成分分析需求。

分辨率：

二次電子像（SEI）：1.0 nm（15 kV，工作距離 4 mm）；

低電壓下表現優異：1.4 nm（1 kV，減速模式），2.0 nm（1 kV，正常模式）；

背散射電子像（BSEI）：通過 E×B 探測器實現 Z 襯度成像，適用于成分差異分析。

探測器與信號采集

二次電子探測器（SE）：

高位 SE 探測器（SE (U)）：接收表面形貌信息，分辨率高，適用于高分辨成像。

低位 SE 探測器（SE (L)）：增強立體感，適用于觀察凹凸結構。

背散射電子探測器（BSE）：

低角 BSE（LA-BSE）：突出成分差異，適用于多相材料分析。

高角 BSE（HA-BSE）：提供結晶學襯度，用于晶粒取向研究。

E×B 技術：通過電場與磁場分離二次電子與背散射電子，可選擇性接收單純 SE、混合 SE+BSE 或純 BSE 信號，優化圖像對比度。

能譜儀（EDS）：

探測器活區面積：10–30 mm2（不同配置），能量分辨率≤129 eV（Mn Kα），元素分析范圍 Be?–U?2。

支持定點、線掃描和面分布分析，配備電制冷系統以提高穩定性。